Name: SIS407DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS407DN-T1-GE3TR-ND
Price: 41.382 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS407DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS407DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS407DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS407DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS407DN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 25A (Tc) 3,6W (Ta), 33W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIS407DN-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 93.8 nC @ 8 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2760 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,6W (Ta), 33W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 25A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Základní číslo produktu SIS407
Rds zap (max) při Id, Vgs 9,5mOhm při 15,3A, 4,5V