Name: SI5442DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5442DU-T1-GE3TR-ND
Price: 25.4705 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI5442DU-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI5442DU-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI5442DU-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI5442DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI5442DU-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 25A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® ChipFet jednoduchý
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI5442DU-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10mOhm při 8A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	900mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	45 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1700 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,1W (Ta), 31W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® ChipFet jednoduchý
Pouzdro	PowerPAK® ChipFET™ jednoduchý
Základní číslo produktu	SI5442