Name: SIS407ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS407ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 17.3877 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS407ADN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS407ADN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS407ADN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS407ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS407ADN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 18A (Tc) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 15A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	168 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5875 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,7W (Ta), 39,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu	SIS407