N-kanál 100 V 5,2A (Ta), 14,2A (Tc) 3,2W (Ta), 24W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS110DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIS110DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SIS110DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SIS110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIS110DN-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 5,2A (Ta), 14,2A (Tc) 3,2W (Ta), 24W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET® Gen IV
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
5,2A (Ta), 14,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
54mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
550 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,2W (Ta), 24W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu
SIS110
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 16 921
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
126,25000 Kč26,25 Kč
1016,46200 Kč164,62 Kč
10010,81610 Kč1 081,61 Kč
5008,39038 Kč4 195,19 Kč
1 0007,60905 Kč7 609,05 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0006,61661 Kč19 849,83 Kč
6 0006,11693 Kč36 701,58 Kč
9 0005,86238 Kč52 761,42 Kč
15 0005,57645 Kč83 646,75 Kč
21 0005,40713 Kč113 549,73 Kč
30 0005,24267 Kč157 280,10 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:26,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:31,76250 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
6 Položky
SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

Vishay Siliconix

32,13000 Kč
SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK

Vishay Siliconix

23,52000 Kč
SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

Vishay Siliconix

20,79000 Kč
IAUZ18N10S5L420ATMA1

IAUZ18N10S5L420ATMA1

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32

Infineon Technologies

27,51000 Kč
LI0402D121R-10

LI0402D121R-10

FERRITE BEAD 120 OHM 0402 1LN

Laird-Signal Integrity Products

4,20000 Kč
TI375N484I3

TI375N484I3

FPGA TITAN 16TX 370KLE 484BGA

Efinix, Inc.

5 091,39000 Kč