Name: SIRS4401DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS4401DP-T1-GE3TR-ND
Price: 108.5007 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIRS4401DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIRS4401DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIRS4401DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIRS4401DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIRS4401DP-T1-GE3
Popis	P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 46,8A (Ta), 198A (Tc) 7,4W (Ta), 132W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	46,8A (Ta), 198A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,2mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	588 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	21850 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	7,4W (Ta), 132W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIRS4401

Jednotková cena bez DPH:	89,67000 Kč
Jednotková cena s DPH:	108,50070 Kč

SIRS4401DP-T1-GE3