
SIRA60DP-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIRA60DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRA60DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRA60DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIRA60DP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 14 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIRA60DP-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 0,94 mOhm při 20 A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,2V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 60 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 7650 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 57W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 42,28000 Kč | 42,28 Kč |
10 | 26,95400 Kč | 269,54 Kč |
100 | 18,22420 Kč | 1 822,42 Kč |
500 | 14,48184 Kč | 7 240,92 Kč |
1 000 | 13,64032 Kč | 13 640,32 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 11,75076 Kč | 35 252,28 Kč |
6 000 | 11,14405 Kč | 66 864,30 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 42,28000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 51,15880 Kč |