Name: SIRA52DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA52DP-T1-GE3TR-ND
Price: 48.642 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIRA52DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIRA52DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRA52DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRA52DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIRA52DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIRA52DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,7mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7150 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIRA52

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	11,32944 Kč	33 988,32 Kč
6 000	10,41500 Kč	62 490,00 Kč

Jednotková cena bez DPH:	40,20000 Kč
Jednotková cena s DPH:	48,64200 Kč

SIRA52DP-T1-GE3