Name: SIRA04DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA04DP-T1-GE3TR-ND
Price: 40.3293 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SIRA04DP-T1-GE3
cms-digikey-product-number	SIRA04DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRA04DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRA04DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SIRA04DP-T1-GE3
cms-description	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
cms-standard-lead-time	14 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SIRA04DP-T1-GE3 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,15mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3595 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 62,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIRA04