
SIRA02DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIRA02DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRA02DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRA02DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIRA02DP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 71,4W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIRA02DP-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 2mOhm při 15A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,2V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 117 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 6150 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 5W (Ta), 71,4W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 54,59000 Kč | 54,59 Kč |
| 10 | 35,17200 Kč | 351,72 Kč |
| 100 | 24,10360 Kč | 2 410,36 Kč |
| 500 | 19,37108 Kč | 9 685,54 Kč |
| 1 000 | 19,34042 Kč | 19 340,42 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 15,91844 Kč | 47 755,32 Kč |
| 6 000 | 15,80100 Kč | 94 806,00 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 54,59000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 66,05390 Kč |



