Name: SIR880BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 53.8692 CZK
Availability: InStock

SIR880BDP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR880BDP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR880BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR880BDP-T1-RE3
Popis	N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 18,6A (Ta), 70,6A (Tc) 5W (Ta), 71,4W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR880BDP-T1-RE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18,6A (Ta), 70,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,5mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2930 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 71,4W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	11,52776 Kč	34 583,28 Kč
6 000	10,88484 Kč	65 309,04 Kč

Jednotková cena bez DPH:	44,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:	53,86920 Kč

SIR880BDP-T1-RE3