Name: SIR606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR606DP-T1-GE3TR-ND
Price: 52.5987 CZK
Availability: InStock

SIR606DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR606DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR606DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR606DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR606DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 37A (Tc) 44,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR606DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	37A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16,2mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,6V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 6 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1360 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	44,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR606

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	12,16687 Kč	36 500,61 Kč
6 000	11,58827 Kč	69 529,62 Kč

Jednotková cena bez DPH:	43,47000 Kč
Jednotková cena s DPH:	52,59870 Kč

SIR606DP-T1-GE3