Name: SIR606BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR606BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 50.82 CZK
Availability: InStock

SIR606BDP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	SIR606BDP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR606BDP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR606BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR606BDP-T1-RE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 10,9A (Ta), 38,7A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR606BDP-T1-RE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,9A (Ta), 38,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	17,4mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1470 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 62,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR606

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	11,65452 Kč	34 963,56 Kč
6 000	11,02395 Kč	66 143,70 Kč

Jednotková cena bez DPH:	42,00000 Kč
Jednotková cena s DPH:	50,82000 Kč

SIR606BDP-T1-RE3