
SIR5802DP-T1-RE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIR5802DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR5802DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR5802DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIR5802DP-T1-RE3 |
Popis | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE |
Standardní dodací lhůta výrobce | 28 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 80 V 33,6A (Ta), 137,5A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 80 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 7,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 2,9mOhm při 20A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3020 pF @ 40 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 | |
Pouzdro |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 54,57000 Kč | 54,57 Kč |
10 | 35,20300 Kč | 352,03 Kč |
100 | 24,13360 Kč | 2 413,36 Kč |
500 | 19,72602 Kč | 9 863,01 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 16,69816 Kč | 50 094,48 Kč |
6 000 | 16,12652 Kč | 96 759,12 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 54,57000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 66,02970 Kč |