Name: SIR572DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR572DP-T1-RE3TR-ND
Price: 80.2835 CZK
Availability: InStock

SIR572DP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIR572DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR572DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR572DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR572DP-T1-RE3
Popis	N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 14,8A (Ta), 59,7A (Tc) 5,7W (Ta), 92,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen V
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14,8A (Ta), 59,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10,8mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2733 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5,7W (Ta), 92,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	19,86145 Kč	59 584,35 Kč
6 000	18,84046 Kč	113 042,76 Kč

Jednotková cena bez DPH:	66,35000 Kč
Jednotková cena s DPH:	80,28350 Kč

SIR572DP-T1-RE3