Name: SIR500DP-T1-UE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR500DP-T1-UE3TR-ND
Price: 68.3408 CZK
Availability: InStock

SIR500DP-T1-UE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIR500DP-T1-UE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR500DP-T1-UE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR500DP-T1-UE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR500DP-T1-UE3
Popis	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 85,9A (Ta), 350,8A (Tc) 6,25W (Ta), 104,1W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen V
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	85,9A (Ta), 350,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,47mOhm při20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (max)	+16V, -12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8960 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,25W (Ta), 104,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	16,56182 Kč	49 685,46 Kč
6 000	16,53593 Kč	99 215,58 Kč

Jednotková cena bez DPH:	56,48000 Kč
Jednotková cena s DPH:	68,34080 Kč

SIR500DP-T1-UE3