Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 120.9758 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIJH112E-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIJH112E-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 8x8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIJH112E-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,8mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8050 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 8x8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	SIJH112