
SIJ482DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIJ482DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIJ482DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIJ482DP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIJ482DP-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 80 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 6,2mOhm při 20A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,7V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 71 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2425 pF @ 40 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 5W (Ta), 69,4W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 56,90000 Kč | 56,90 Kč |
| 10 | 36,57900 Kč | 365,79 Kč |
| 100 | 25,03380 Kč | 2 503,38 Kč |
| 500 | 20,09382 Kč | 10 046,91 Kč |
| 1 000 | 18,63363 Kč | 18 633,63 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 16,48952 Kč | 49 468,56 Kč |
| 6 000 | 15,47567 Kč | 92 854,02 Kč |
| 9 000 | 15,22355 Kč | 137 011,95 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 56,90000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 68,84900 Kč |





