SIHW33N60E-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 84,54583 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 484
Jednotková cena : 161,47000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 750
Jednotková cena : 181,42000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 93
Jednotková cena : 128,30000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 30
Jednotková cena : 879,82000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 344,29650 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 298
Jednotková cena : 347,31000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 482
Jednotková cena : 200,11000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 234,13000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 254
Jednotková cena : 144,68000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 233
Jednotková cena : 240,64000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHW33N60E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHW33N60E-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHW33N60E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
99mOhm při 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3508 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
278W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247AD
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1177,85000 Kč177,85 Kč
10120,88500 Kč1 208,85 Kč
48075,18377 Kč36 088,21 Kč
96071,00736 Kč68 167,07 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:177,85000 Kč
Jednotková cena s DPH:215,19850 Kč