Name: SIHW33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHW33N60E-GE3-ND
Price: 189.7885 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIHW33N60E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHW33N60E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHW33N60E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	33A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	99mOhm při 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3508 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	278W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AD
Pouzdro	Plná výzbroj TO-3P-3
Základní číslo produktu	SIHW33

Jednotková cena bez DPH:	156,85000 Kč
Jednotková cena s DPH:	189,78850 Kč

SIHW33N60E-GE3