Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP28N65E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHP28N65E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHP28N65E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 29A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHP28N65E-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 140 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3405 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 112mOhm při 14A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP125N60E | onsemi | 232 | FCP125N60E-ND | 129,30000 Kč | Similar |
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | 1 683 | 448-IPP60R099P7XKSA1-ND | 116,58000 Kč | Similar |
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | 2 332 | IPP60R125CPXKSA1-ND | 154,75000 Kč | Similar |
| STP34NM60ND | STMicroelectronics | 621 | 497-11335-5-ND | 244,43000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 000 | 61,60131 Kč | 61 601,31 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 61,60131 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 74,53759 Kč |




