N-kanál 800 V 20A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP24N80AEF-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SIHP24N80AEF-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHP24N80AEF-GE3
Popis
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Standardní dodací lhůta výrobce
28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 20A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHP24N80AEF-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
EF
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
20A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
195mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1889 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 000
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1112,55000 Kč112,55 Kč
1074,75300 Kč747,53 Kč
10053,26560 Kč5 326,56 Kč
50044,10420 Kč22 052,10 Kč
1 00041,16259 Kč41 162,59 Kč
2 00038,69050 Kč77 381,00 Kč
5 00038,55758 Kč192 787,90 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:112,55000 Kč
Jednotková cena s DPH:136,18550 Kč