N-kanál 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP20N50E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHP20N50E-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHP20N50E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHP20N50E-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
19A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
184mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1640 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
179W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Základní číslo produktu
SIHP20
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 544
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
181,47000 Kč81,47 Kč
1053,33500 Kč533,35 Kč
10037,26940 Kč3 726,94 Kč
50030,41098 Kč15 205,49 Kč
1 00028,20745 Kč28 207,45 Kč
2 00026,35543 Kč52 710,86 Kč
5 00024,93513 Kč124 675,65 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:81,47000 Kč
Jednotková cena s DPH:98,57870 Kč