Name: SIHG35N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG35N60E-GE3-ND
Price: 196.3951 CZK
Availability: OutOfStock

SIHG35N60E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHG35N60E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHG35N60E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	E
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	32A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	94mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	132 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2760 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AC
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SIHG35

Jednotková cena bez DPH:	162,31000 Kč
Jednotková cena s DPH:	196,39510 Kč

SIHG35N60E-GE3