SIHG22N50D-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct

APT24F50B
Microchip Technology
Skladem : 505
Jednotková cena : 91,76000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFH22N50P
IXYS
Skladem : 600
Jednotková cena : 169,87000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFH26N50P
IXYS
Skladem : 6
Jednotková cena : 204,94000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFH26N50P3
IXYS
Skladem : 656
Jednotková cena : 202,00000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHG22N50D-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHG22N50D-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHG22N50D-GE3
Popis
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
22A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
230mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1938 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
312W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247AC
Pouzdro
TO-247-3
Základní číslo produktu
SIHG22
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.