SIHG22N50D-GE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

SIHG22N50D-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Direct

Microchip Technology

Skladem : 405

Jednotková cena : 91,99000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 159,14000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 436

Jednotková cena : 191,98000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 672

Jednotková cena : 189,24000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHG22N50D-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHG22N50D-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHG22N50D-GE3
Popis	MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	22A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	230mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1938 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	312W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AC
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SIHG22