Name: SIHG21N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG21N65EF-GE3-ND
Price: 63.27228 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIHG21N65EF-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHG21N65EF-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHG21N65EF-GE3
Popis	MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIHG21N65EF-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	180mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2322 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	208W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AC
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SIHG21

Jednotková cena bez DPH:	52,29114 Kč
Jednotková cena s DPH:	63,27228 Kč

SIHG21N65EF-GE3