SIHG20N50C-E3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 171,56000 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 30,21200 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 159,14000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 436
Jednotková cena : 191,98000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 672
Jednotková cena : 189,24000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 409
Jednotková cena : 312,17000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 10
Jednotková cena : 453,00000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 106
Jednotková cena : 339,96000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 10
Jednotková cena : 656,76000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 313
Jednotková cena : 156,61000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 102,51000 Kč
Katalogový list
IRFP254PBF
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHG20N50C-E3

Číslo produktu DigiKey
SIHG20N50C-E3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHG20N50C-E3
Popis
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHG20N50C-E3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
270mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2942 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247AC
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.