Name: SIHFR9120-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFR9120-GE3-ND
Price: 30.7461 CZK
Availability: OutOfStock

SIHFR9120-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIHFR9120-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHFR9120-GE3
Popis	MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 5,6A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	600mOhm při 3,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	390 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 42W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SIHFR9120

Jednotková cena bez DPH:	25,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:	30,74610 Kč

SIHFR9120-GE3