N-kanál 650 V 12A (Tc) 33W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHF12N65E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHF12N65E-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHF12N65E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 12A (Tc) 33W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
380mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1224 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
33W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
Plná výzbroj TO-220
Pouzdro
Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu
SIHF12
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 870
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
168,66000 Kč68,66 Kč
5034,39480 Kč1 719,74 Kč
10031,06440 Kč3 106,44 Kč
50025,22826 Kč12 614,13 Kč
1 00023,35272 Kč23 352,72 Kč
2 00021,77629 Kč43 552,58 Kč
5 00021,65419 Kč108 270,95 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:68,66000 Kč
Jednotková cena s DPH:83,07860 Kč