Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar

SIHD6N65ET5-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHD6N65ET5-GE3-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHD6N65ET5-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
Standardní dodací lhůta výrobce | 25 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 600mOhm při 3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 820 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 78W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-252AA | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 14,05116 Kč | 42 153,48 Kč |
| 6 000 | 13,68250 Kč | 82 095,00 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 14,05116 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 17,00190 Kč |




