Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHD6N65E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHD6N65E-GE3 Modely |
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 48 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 820 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 78W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Montáž na povrch |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 600mOhm při 3A, 10V | Základní číslo produktu |
Nahlásit chybu v informacích o produktu
Dokumenty a média
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 2 752
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 52,14000 Kč | 52,14 Kč |
| 75 | 23,81427 Kč | 1 786,07 Kč |
| 150 | 21,46167 Kč | 3 219,25 Kč |
| 525 | 18,11370 Kč | 9 509,69 Kč |
| 1 050 | 16,66394 Kč | 17 497,14 Kč |
| 2 025 | 15,50403 Kč | 31 395,66 Kč |
| 5 025 | 14,18344 Kč | 71 271,79 Kč |
| 10 050 | 13,55607 Kč | 136 238,50 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 52,14000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 63,08940 Kč |
