Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHD6N65E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHD6N65E-GE3 Modely |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 600mOhm při 3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 820 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 78W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-252AA | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Skladem: 2 780
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 52,50000 Kč | 52,50 Kč |
| 75 | 23,97693 Kč | 1 798,27 Kč |
| 150 | 21,60833 Kč | 3 241,25 Kč |
| 525 | 18,23747 Kč | 9 574,67 Kč |
| 1 050 | 16,77780 Kč | 17 616,69 Kč |
| 2 025 | 15,60997 Kč | 31 610,19 Kč |
| 5 025 | 14,28035 Kč | 71 758,76 Kč |
| 10 050 | 13,64870 Kč | 137 169,43 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 52,50000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 63,52500 Kč |
Česká republika