SIHD5N50D-E3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 1 494
Jednotková cena : 56,06000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 3 309
Jednotková cena : 38,22000 Kč
Katalogový list
N-kanál 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHD5N50D-E3

Číslo produktu DigiKey
SIHD5N50D-E3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHD5N50D-E3
Popis
MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,5Ohm při 2,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
325 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.