Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHD2N80AE-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 800 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 2,9Ohm při 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 180 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 62,5W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-252AA | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Skladem: 1 559
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 36,96000 Kč | 36,96 Kč |
| 10 | 23,47600 Kč | 234,76 Kč |
| 100 | 15,74430 Kč | 1 574,43 Kč |
| 500 | 12,43250 Kč | 6 216,25 Kč |
| 1 000 | 11,36706 Kč | 11 367,06 Kč |
| 3 000 | 10,01444 Kč | 30 043,32 Kč |
| 6 000 | 9,33372 Kč | 56 002,32 Kč |
| 12 000 | 9,23912 Kč | 110 869,44 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 36,96000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 44,72160 Kč |
Může vás též zajímatZobrazit vše
6 Položky
Česká republika