Name: SIHD1K4N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD1K4N60E-GE3-ND
Price: 46.2462 CZK
Availability: OutOfStock

SIHD1K4N60E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHD1K4N60E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHD1K4N60E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 4,2A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	E
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,45Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	172 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	63W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SIHD1

Jednotková cena bez DPH:	38,22000 Kč
Jednotková cena s DPH:	46,24620 Kč

SIHD1K4N60E-GE3