Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
SIHB6N65E-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHB6N65E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB6N65E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 600mOhm při 3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 820 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 78W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263 (D2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 55,41000 Kč | 55,41 Kč |
| 10 | 35,68200 Kč | 356,82 Kč |
| 100 | 24,48360 Kč | 2 448,36 Kč |
| 500 | 19,69394 Kč | 9 846,97 Kč |
| 1 000 | 18,15480 Kč | 18 154,80 Kč |
| 2 000 | 16,86074 Kč | 33 721,48 Kč |
| 5 000 | 16,14325 Kč | 80 716,25 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 55,41000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 67,04610 Kč |
Česká republika