N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB33N60EF-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHB33N60EF-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHB33N60EF-GE3
Popis
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce
15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
33A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
98mOhm při 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3454 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
278W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
SIHB33
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 966
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
1172,60000 Kč172,60 Kč
10117,12700 Kč1 171,27 Kč
10085,72010 Kč8 572,01 Kč
50072,34188 Kč36 170,94 Kč
1 00068,24350 Kč68 243,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:172,60000 Kč
Jednotková cena s DPH:208,84600 Kč