Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
SIHB12N50C-E3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:
MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHB12N50C-E3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHB12N50C-E3-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB12N50C-E3 |
Popis | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHB12N50C-E3 Modely |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Zastaralé | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 500 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 555mOhm při 4A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1375 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 208W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263 (D2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Zastaralý
Česká republika