SIHB10N40D-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended

IRF740PBF
Vishay Siliconix
Skladem : 9 279
Jednotková cena : 56,48000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFA12N50P
IXYS
Skladem : 281
Jednotková cena : 117,17000 Kč
Katalogový list

Similar

IXTA12N50P
IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 112,13000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB10N40D-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHB10N40D-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHB10N40D-GE3
Popis
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
400 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
10A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
600mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
526 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
147W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
SIHB10
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.