Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar

SIHA6N65E-E3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHA6N65E-E3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHA6N65E-E3 |
Popis | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 7A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 48 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1640 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 31W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra Plná výzbroj TO-220 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 600mOhm při 3A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHA6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1 992 | 742-SIHA6N65E-GE3CT-ND | 62,36000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOTF12N60-ND | 19,27280 Kč | Similar |
| IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAW60R600P7SXKSA1-ND | 26,25000 Kč | Similar |
| IPAW70R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAW70R600CEXKSA1-ND | 0,00000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 62,15000 Kč | 62,15 Kč |
| 50 | 30,69060 Kč | 1 534,53 Kč |
| 100 | 27,63130 Kč | 2 763,13 Kč |
| 500 | 22,26838 Kč | 11 134,19 Kč |
| 1 000 | 20,54486 Kč | 20 544,86 Kč |
| 2 000 | 19,09569 Kč | 38 191,38 Kč |
| 5 000 | 17,52884 Kč | 87 644,20 Kč |
| 10 000 | 17,21836 Kč | 172 183,60 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 62,15000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 75,20150 Kč |





