
SIHA11N80AE-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIHA11N80AE-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHA11N80AE-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 8A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHA11N80AE-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 804 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 31W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V | Dodávaná velikost pouzdra Plná výzbroj TO-220 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 450mOhm při 5,5A, 10V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 61,52000 Kč | 61,52 Kč |
| 50 | 30,35480 Kč | 1 517,74 Kč |
| 100 | 27,32680 Kč | 2 732,68 Kč |
| 500 | 22,01262 Kč | 11 006,31 Kč |
| 1 000 | 20,30486 Kč | 20 304,86 Kč |
| 2 000 | 18,86891 Kč | 37 737,82 Kč |
| 5 000 | 17,31621 Kč | 86 581,05 Kč |
| 10 000 | 16,98213 Kč | 169 821,30 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 61,52000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 74,43920 Kč |


