Name: SIDR626EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626EP-T1-RE3TR-ND
Price: 84.1797 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIDR626EP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIDR626EP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIDR626EP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIDR626EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIDR626EP-T1-RE3
Popis	N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 50,8A (Ta), 227A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8DC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIDR626EP-T1-RE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50,8A (Ta), 227A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,74mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5130 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	7,5W (Ta), 150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8DC
Pouzdro	PowerPAK® SO-8