Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 68.3045 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIDR5802EP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIDR5802EP-T1-RE3
Popis	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8DC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIDR5802EP-T1-RE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen V
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	34,2A (Ta), 153A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,9mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3020 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	7,5W (Ta), 150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8DC
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIDR5802

Jednotková cena bez DPH:	56,45000 Kč
Jednotková cena s DPH:	68,30450 Kč

SIDR5802EP-T1-RE3