
SIA906EDJ-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIA906EDJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA906EDJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA906EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIA906EDJ-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 4,5A 7,8W Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIA906EDJ-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 4,5A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 46mOhm při 3,9A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1,4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 12nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 350pF při 10V | |
Výkon - max | 7,8W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SC-70-6 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SC-70-6 duální | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 18,33000 Kč | 18,33 Kč |
10 | 11,45700 Kč | 114,57 Kč |
100 | 7,43010 Kč | 743,01 Kč |
500 | 5,69826 Kč | 2 849,13 Kč |
1 000 | 5,13959 Kč | 5 139,59 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 3,76502 Kč | 11 295,06 Kč |
6 000 | 3,51506 Kč | 21 090,36 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 18,33000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 22,17930 Kč |