
SIA817EDJ-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIA817EDJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA817EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIA817EDJ-T1-GE3 |
Popis | MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 38 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | P-kanál 30 V 4,5A (Tc) 1,9W (Ta), 6,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIA817EDJ-T1-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 1,3V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 23 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±12V |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 600 pF @ 15 V |
Stav součásti Aktivní | Funkce tranzistoru FET Schottkyho dioda (samostatná) |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 1,9W (Ta), 6,5W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V | Způsob montáže Montáž na povrch |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SC-70-6 duální |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 65mOhm při 3A, 10V | Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 18,77000 Kč | 18,77 Kč |
| 10 | 11,65800 Kč | 116,58 Kč |
| 100 | 7,55180 Kč | 755,18 Kč |
| 500 | 5,77990 Kč | 2 889,95 Kč |
| 1 000 | 5,20824 Kč | 5 208,24 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 4,48178 Kč | 13 445,34 Kč |
| 6 000 | 4,11580 Kč | 24 694,80 Kč |
| 9 000 | 3,92934 Kč | 35 364,06 Kč |
| 15 000 | 3,71983 Kč | 55 797,45 Kč |
| 21 000 | 3,59577 Kč | 75 511,17 Kč |
| 30 000 | 3,47520 Kč | 104 256,00 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 18,77000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 22,71170 Kč |


