
SIA817EDJ-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIA817EDJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA817EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIA817EDJ-T1-GE3 |
Popis | MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | P-kanál 30 V 4,5A (Tc) 1,9W (Ta), 6,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIA817EDJ-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 2,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 65mOhm při 3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1,3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 600 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | Schottkyho dioda (samostatná) | |
Rozptylový výkon (Max) | 1,9W (Ta), 6,5W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SC-70-6 duální | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 12,29000 Kč | 12,29 Kč |
10 | 9,43600 Kč | 94,36 Kč |
100 | 6,35730 Kč | 635,73 Kč |
500 | 4,84672 Kč | 2 423,36 Kč |
1 000 | 4,35930 Kč | 4 359,30 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 3,73982 Kč | 11 219,46 Kč |
6 000 | 3,42768 Kč | 20 566,08 Kč |
9 000 | 3,26860 Kč | 29 417,40 Kč |
15 000 | 3,08988 Kč | 46 348,20 Kč |
21 000 | 2,98806 Kč | 62 749,26 Kč |
30 000 | 2,90892 Kč | 87 267,60 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 12,29000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 14,87090 Kč |