
SIA817EDJ-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIA817EDJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA817EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIA817EDJ-T1-GE3 |
Popis | MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | P-kanál 30 V 4,5A (Tc) 1,9W (Ta), 6,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIA817EDJ-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 2,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 65mOhm při 3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1,3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 600 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | Schottkyho dioda (samostatná) | |
Rozptylový výkon (Max) | 1,9W (Ta), 6,5W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SC-70-6 duální | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 17,64000 Kč | 17,64 Kč |
| 10 | 10,98200 Kč | 109,82 Kč |
| 100 | 7,10780 Kč | 710,78 Kč |
| 500 | 5,43848 Kč | 2 719,24 Kč |
| 1 000 | 4,90072 Kč | 4 900,72 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 4,21717 Kč | 12 651,51 Kč |
| 6 000 | 3,87284 Kč | 23 237,04 Kč |
| 9 000 | 3,69737 Kč | 33 276,33 Kč |
| 15 000 | 3,50021 Kč | 52 503,15 Kč |
| 21 000 | 3,38349 Kč | 71 053,29 Kč |
| 30 000 | 3,30719 Kč | 99 215,70 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 17,64000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 21,34440 Kč |



