Name: SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA427DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 22.4576 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIA427DJ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIA427DJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA427DJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA427DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA427DJ-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 8 V 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIA427DJ-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 800mV při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50 nC @ 5 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2300 pF @ 4 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 8 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SC-70-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SC-70-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,2V, 4,5V	Základní číslo produktu SIA427
Rds zap (max) při Id, Vgs 16mOhm při 8,2A, 4,5V