Name: SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA427DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 22.6149 CZK
Availability: InStock

SIA427DJ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIA427DJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA427DJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA427DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA427DJ-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	54 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 8 V 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIA427DJ-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	8 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16mOhm při 8,2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	800mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50 nC @ 5 V
Vgs (max)	±5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2300 pF @ 4 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,5W (Ta), 19W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SC-70-6
Pouzdro	PowerPAK® SC-70-6
Základní číslo produktu	SIA427

Jednotková cena bez DPH:	18,69000 Kč
Jednotková cena s DPH:	22,61490 Kč

SIA427DJ-T1-GE3