Name: SIA427ADJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA427ADJ-T1-GE3TR-ND
Price: 20.6305 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIA427ADJ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIA427ADJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA427ADJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA427ADJ-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 8 V 12A (Tc) 19W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIA427ADJ-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	8 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16mOhm při 8,2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	800mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50 nC @ 5 V
Vgs (max)	±5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2300 pF @ 4 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	19W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SC-70-6
Pouzdro	PowerPAK® SC-70-6
Základní číslo produktu	SIA427

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 3 020

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)