Name: SI9407BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9407BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 44.9757 CZK
Availability: InStock

SI9407BDY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI9407BDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI9407BDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI9407BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI9407BDY-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	11 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 4,7A (Tc) 2,4W (Ta), 5W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	120mOhm při 3,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	600 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,4W (Ta), 5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	SI9407

Jednotková cena bez DPH:	37,17000 Kč
Jednotková cena s DPH:	44,97570 Kč

SI9407BDY-T1-GE3