Name: SI9407BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9407BDY-T1-E3TR-ND
Price: 52.5987 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI9407BDY-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI9407BDY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI9407BDY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI9407BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI9407BDY-T1-E3
Popis	MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	63 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 4,7A (Tc) 5W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI9407BDY-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 600 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 5W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,7A (Tc)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SI9407
Rds zap (max) při Id, Vgs 120mOhm při 3,2A, 10V