Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8819EDB-T2-E1TR-ND
Price: 11.0957 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI8819EDB-T2-E1
Číslo produktu DigiKey	SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Páska a cívka (TR) SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Řezaná páska (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI8819EDB-T2-E1
Popis	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 12 V 2,9A (Ta) 900mW (Ta) Montáž na povrch 4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,9A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 3,7V
Rds zap (max) při Id, Vgs	80mOhm při 1,5A, 3,7V
Vgs(th) (max) při Id	900mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	650 pF @ 6 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	900mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)
Pouzdro	4-XFBGA
Základní číslo produktu	SI8819