Name: SI8808DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8808DB-T2-E1TR-ND
Price: 19.0575 CZK
Availability: InStock

SI8808DB-T2-E1
Číslo produktu DigiKey	SI8808DB-T2-E1TR-ND - Páska a cívka (TR) SI8808DB-T2-E1CT-ND - Řezaná páska (CT) SI8808DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI8808DB-T2-E1
Popis	MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 1,8A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch 4 mikro nožky
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI8808DB-T2-E1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	95mOhm při 1A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	900mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	330 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	4 mikro nožky
Pouzdro	4-UFBGA
Základní číslo produktu	SI8808

Jednotková cena bez DPH:	15,75000 Kč
Jednotková cena s DPH:	19,05750 Kč

SI8808DB-T2-E1