Name: SI8802DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8802DB-T2-E1TR-ND
Price: 14.3627 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI8802DB-T2-E1
Číslo produktu DigiKey	SI8802DB-T2-E1TR-ND - Páska a cívka (TR) SI8802DB-T2-E1CT-ND - Řezaná páska (CT) SI8802DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI8802DB-T2-E1
Popis	MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 8 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch 4 mikro nožky
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI8802DB-T2-E1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	8 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	54mOhm při 1A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	700mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±5V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	4 mikro nožky
Pouzdro	4-XFBGA
Základní číslo produktu	SI8802