Name: SI8800EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8800EDB-T2-E1TR-ND
Price: 18.3436 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI8800EDB-T2-E1
Číslo produktu DigiKey	SI8800EDB-T2-E1TR-ND - Páska a cívka (TR) SI8800EDB-T2-E1CT-ND - Řezaná páska (CT) SI8800EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI8800EDB-T2-E1
Popis	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch 4 mikro nožky
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI8800EDB-T2-E1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	80mOhm při 1A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8.3 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	4 mikro nožky
Pouzdro	4-XFBGA, CSPBGA
Základní číslo produktu	SI8800

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 7 302

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)